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三星将取消EUV DRAM产线转换计划,或另有大动作!

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发表于 2021-05-07 20:35 超大游击队员 | 显示全部楼层 |阅读模式

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据韩媒消息称,原本三星计划将华城专门用于极紫外光刻设备(EUV)的'V1'生产线中的某些DRAM生产线转换为晶圆代工,但是该计划已经取消,决定维持DRAM生产线。

据悉,三星华城工厂有3条生产线:V1、S3和S4,其中专用于EUV的V1产线大致分为上和下两部分,上部和下部分东、西两侧,上东部和下东部为晶圆代工生产线,三星已于4月底完成华城V1生产线西侧的建造工序,引入20多台EUV设备,用于生产DRAM。

美国奥斯汀产能逐渐恢复,且扩大在美投资,或是三星改变策略的诱因

从2020下半年开始,晶圆代工产能紧缺,2021年第一季度持续,且涨价不断。在此波全球芯片缺货的浪潮中,三星LSI部门的产能供应也短缺,尤其是三星奥斯汀工厂产能损失,一度使得产能供应短缺进一步恶化。

因应市场不断持续增长的需求,原本三星计划扩大晶圆代工产能,而之所以改变计划,主要原因可能是随着英特尔、台积电纷纷在美国大手笔投资建厂,格罗方德也计划在美国投资建设制造工厂,加入扩产队列,三星也欲将美国作为主要的晶圆代工生产基地。

首先,三星美国奥斯汀工厂运转逐渐正常,4月已经恢复一些生产,5月份可全面恢复到正常供货水平,恢复进展比预期要提前至少半个月。其次,三星目标是计划在2030年超越台积电,成为全球最大晶圆代工龙头企业,早就有消息称三星将在美国投资170亿美元,建造晶圆代工厂,最早在2023年投入运营。

此外,三星可能与其他企业合作扩充产能。之前有消息称,三星与联电将启动全新合作模式,将由三星出资买设备置于在联电为其打造的南科P6厂,由联电为其代工生产ISP及相关面板驱动IC,为三星提供产能满足市场需求。在不久之后,联电就宣布与多家全球领先的客户共同携手,扩充位于台南科学园区 Fab 12A P6 厂区产能,将采 28nm制程,未来亦可延伸至14nm,月产能 2.75万片,扩建产能预计2023 年第二季投产。

三星预估DRAM涨价到年底,美光、SK海力士加快技术升级,三星需确保DRAM市场地位

DRAM市场,三星一直处于龙头地位,2021年第一季度 DRAM量价齐升,三星预估二季度服务器需求的强劲将推动存储业务的增长,全球芯片短缺可能在下半年持续,基于全面的强劲需求,DRAM价格在下半年可望保持上升轨道。三星维持DRAM生产线,也是看好DRAM市场乐观。

另一方面,三星、SK海力士、美光三大DRAM原厂开始进入EUV时代和第四代10nm级技术竞争阶段。三星2020年在1Znm制程就导入了EUV设备,可谓抢占了先机,2021年将加快扩大15nm DRAM,以及加快导入EUV设备生产14nm DRAM。

美光和SK海力士也在加快脚步,美光1-alpha DRAM实现了量产,并未导入EUV设备,致力于在2022年成为主要生产力,计划在2022下半年导入1-alpha技术生产DDR5产品。SK海力士新M16工厂已竣工,将首次引进EUV光刻设备,计划2021年内完成EUV设备导入1anm技术,实现批量生产。

三星称霸晶圆代工市场的野心未变,但DRAM是其半导体核心业务,而其晶圆代工目前的贡献和市场远不及DRAM,因此确保DRAM产能和技术竞争力自然是三星首要任务。
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