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中芯国际FinFET N+1工艺芯片流片成功,技术可用于后续国产光刻机

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CDer:001170221
发表于 2020-10-12 00:00 | 显示全部楼层 |阅读模式

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        首个基于中芯国际FinFET N+1先进工艺的芯片流片和测试,所有IP全自主国产,功能一次测试通过。

        中芯国际联席CEO梁孟松博此前公布的信息显示,N+1工艺和现有的14nm工艺相比,性能提升了20%,功耗降低了57%,逻辑面积缩小了63%,SoC面积减少了55%。从逻辑面积缩小的数据来看,与7nm工艺相近。第二代FinFET N+1工艺已经进入客户导入阶段,有望于2020年底小批量试产。

        梁孟松博士也表示,N+1代工艺在功耗及稳定性上跟7nm工艺非常相似,但性能要低一些(业界标准是提升35%),所以中芯国际的N+1工艺主要面向低功耗应用的。而在N+1之后,中芯国际还会有N+2,这两种工艺在功耗上表现差不多,区别在于性能及成本,N+2显然是面向高性能的,成本也会增加。


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CDer:001170221
 楼主| 发表于 2020-10-12 00:08 | 显示全部楼层
本帖最后由 超级无人机 于 2020-10-12 11:15 编辑

据称:FinFET N+1技术目前主要应用于ASML的进口光刻机,未来也可用在国产(上微)光刻机上,保守预测2021年底至2022年财年,中芯国际搭载国产光刻机可做到14纳米,或甚至更高规格(FinFET N+2)。----- 转
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CDer:000460643
发表于 2020-10-12 00:15 超大游击队员 | 显示全部楼层
中芯的n+1是不是就相当于intel的10nm工艺呀?
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CDer:000264820
发表于 2020-10-12 00:33 | 显示全部楼层

RE: 中芯国际FinFET N+1工艺芯片流片成功,技术可用于后续国产光刻机

围观_群众 发表于 2020-10-12 00:15
中芯的n+1是不是就相当于intel的10nm工艺呀?

应该赶不上, inter的10nm是强于台积电的第一个版本的7nm的。 低于台积电的7nm+
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CDer:001158610
发表于 2020-10-12 00:43 超大游击队员 | 显示全部楼层

Re.中芯国际FinFET N+1工艺芯片流片成功,技术可用于后续国产光刻机

好,感谢中国的脊梁,只要有需求,技术进步会很快的
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CDer:000400635
发表于 2020-10-12 00:48 超大游击队员 | 显示全部楼层
也就是说,华为其实等得起……
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CDer:000544289
发表于 2020-10-12 01:13 超大游击队员 | 显示全部楼层
本帖最后由 尘世游人 于 2020-10-12 01:40 编辑

应该是在7与10nm之间,取平均值在8nm左右。
之前梁说过,N+2要比台积电的7nm好(应该是指台积电第1版),应该是与第二版差不多或差与第二版。

但是考虑到台积电所谓的7nm,从2018年就量产的情况看,台积电在成本与良品率方面肯定是会好于中芯。

到时候,估计新闻上会这么说,台积电什么给xx可以代工之类云云。
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CDer:001166203
发表于 2020-10-12 01:25 | 显示全部楼层

RE: 中芯国际FinFET N+1工艺芯片流片成功,技术可用于后续国产光刻机

围观_群众 发表于 2020-10-12 00:15
中芯的n+1是不是就相当于intel的10nm工艺呀?

牙膏的10nm不就是台积电的7mn么?
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CDer:001166203
发表于 2020-10-12 01:29 | 显示全部楼层

RE: 中芯国际FinFET N+1工艺芯片流片成功,技术可用于后续国产光刻机

cshjh302703 发表于 2020-10-12 00:48
也就是说,华为其实等得起……

只要全国产dvu出来 用上中芯国际的工艺基本就进入7nm了,看来华为大有机会  我的10nm麒麟970用着还不算落伍,进入7nm基本就是980的节奏了,只要从外商嘴里撕下肉就能减少他们的市场份额,减慢他们的发展速度 evu还是要靠自己努力
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CDer:001113860
发表于 2020-10-12 01:29 超大游击队员 | 显示全部楼层
产能啊,要是能有每个月十万片就好了
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CDer:000544289
发表于 2020-10-12 01:45 超大游击队员 | 显示全部楼层
一只小黑喵 发表于 2020-10-12 01:29
只要全国产dvu出来 用上中芯国际的工艺基本就进入7nm了,看来华为大有机会  我的10nm麒麟970用着还不算落 ...

应该是没有那么快!
中芯的14nm的报道,就是2018年搞成功,然后2019年下半年小批量生产,2020年才开始大找量。
按照目前各种信息综合来看,中芯的N+1最快要到2021年才会小批量量产,2022年初估计才会大批量投产。

再考虑前一段时间,中芯开始储备超过1年以上的材料和备件。
说明在2022年,国内芯片市场,会有大新闻或动作。
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CDer:001166203
发表于 2020-10-12 01:50 | 显示全部楼层

RE: 中芯国际FinFET N+1工艺芯片流片成功,技术可用于后续国产光刻机

尘世游人 发表于 2020-10-12 01:45
应该是没有那么快!
中芯的14nm的报道,就是2018年搞成功,然后2019年下半年小批量生产,2020年才开始大 ...

不知道现在半导体投入加速 能不能快一点 比较中芯上市赚的钱够他挥霍几年的了,而且美国的制裁声音也来了  等不急啊
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CDer:000544289
发表于 2020-10-12 01:54 超大游击队员 | 显示全部楼层
海陆空火 发表于 2020-10-12 01:29
产能啊,要是能有每个月十万片就好了

以12寸晶圆为例,单片晶圆面积70000mm2左右,再以麒麟995的100mm2为例,理论上可以切700颗,但是晶圆是圆的芯片是方的,所以去掉不规则的,剩下在620至650左右。

也就是说,一片12寸晶圆,可以切620(最低)颗芯片,即使再按80%的良品率,差不多可以得到500颗。

月产如果是10万片,100000x500≈50000000颗,即5千万颗。

华为高端手机芯片,mate与p系列,一年各在2000万以上,再加上荣耀一些中高端加起2000万不过份吧!
再加上会留一些些作冗余,也就是说,华为目前一年的高端芯片,在6000-8000万颗以上。
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CDer:001166203
发表于 2020-10-12 02:01 | 显示全部楼层

RE: 中芯国际FinFET N+1工艺芯片流片成功,技术可用于后续国产光刻机

尘世游人 发表于 2020-10-12 01:54
以12寸晶圆为例,单片晶圆面积70000mm2左右,再以麒麟995的100mm2为例,理论上可以切700颗,但是晶圆是圆 ...

麒麟995?是哪个手机上用的没听说过啊
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CDer:000544289
发表于 2020-10-12 02:02 超大游击队员 | 显示全部楼层
本帖最后由 尘世游人 于 2020-10-12 02:40 编辑
一只小黑喵 发表于 2020-10-12 01:50
不知道现在半导体投入加速 能不能快一点 比较中芯上市赚的钱够他挥霍几年的了,而且美国的制裁声音也来了 ...


有些东西,可能还会减速,比如说:老美制裁禁运。

那么现有的设备,就要重新的全面“排查”,备料还有多少等等,肯定是要重新统计。
然后就是,设备更换与替换,调试等等,又要费一段时间。
不说别的,就说华为在2018年开始正式被针对之后,华为就花了3-6个月开始排查自己,然后又花了半年以上进行替换之类。
之前新闻上说的什么备用方案,如:多款产品源代码全面改换之类的。就是指这类的,现有能用的尽量用,不能用的想办法替换。

最后还有一点就是,假如这个要替换的产品,国内暂时没有或在性能指标上达到,那么总体技术上可能又要修改,或者说妥协(例如:像J10,当时国产发动机还在弄,所以在一些方面要妥协)。
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CDer:001166203
发表于 2020-10-12 02:04 | 显示全部楼层

RE: 中芯国际FinFET N+1工艺芯片流片成功,技术可用于后续国产光刻机

尘世游人 发表于 2020-10-12 02:02
有些东西,可能还会减速,比如说:老美制裁禁运。

那么现有的设备,就要重新的全面“排查”,备料还有 ...

你一定是业内人士 看你的留言都很经典 学习了只要22年能出全国产的7纳米也是很高兴的事
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发表于 2020-10-12 07:48 超大游击队员 | 显示全部楼层
华为明年再坚持和调整一年,希望后年可以用上国产的7nm工艺新芯片,配合鸿蒙系统大量铺货。相信经过华为的软硬件优化,全新的旗舰机定能成功。
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CDer:000970693
发表于 2020-10-12 07:53 超大游击队员 | 显示全部楼层
券商真是什么都敢预测,国产7nm2025年都悬,当然,我希望它能成功,不一定非要在手机上纠结,万物互联,这个市场很大,不一定非得7nm。
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CDer:000460126
发表于 2020-10-12 08:03 | 显示全部楼层
应该是8NM左右吧.这个消息一出,美国的制裁应该马上就到了.
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CDer:001140379
发表于 2020-10-12 08:29 | 显示全部楼层

RE: 中芯国际FinFET N+1工艺芯片流片成功,技术可用于后续国产光刻机

围观_群众 发表于 2020-10-12 00:15
中芯的n+1是不是就相当于intel的10nm工艺呀?

牙膏厂的工艺,晶体管密度比其它家都大,中芯国际这个能赶上牙膏厂14+++ 的密度功耗的啥的也是不错的
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CDer:000613267
发表于 2020-10-12 08:39 | 显示全部楼层

RE: 中芯国际FinFET N+1工艺芯片流片成功,技术可用于后续国产光刻机

一只小黑喵 发表于 2020-10-12 02:01
麒麟995?是哪个手机上用的没听说过啊

990的5G版,用来和外置基带的990做区别。对外宣传统一使用990的代号。
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CDer:000974852
发表于 2020-10-12 08:45 超大游击队员 | 显示全部楼层
一只小黑喵 发表于 2020-10-12 02:04
你一定是业内人士 看你的留言都很经典 学习了只要22年能出全国产的7纳米也是很高兴的事

不可能,22年能全国产28纳米的就可以开香槟庆祝了。
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CDer:000867720
发表于 2020-10-12 08:55 超大游击队员 | 显示全部楼层
现在中芯国际的问题是产能不足,14nm的订单多到做不完,中芯年底14nm产能也只有1.5万片/月,太少了,估计到明年底才达到3万片。其实14nm已经足够市场使用,台织电的所谓7nm和5nm都是骗人的,其性能提升非常小。
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CDer:001156466
发表于 2020-10-12 09:11 超大游击队员 | 显示全部楼层
中芯国际也已经被美国制裁了。
这个N+1能做到非美么?
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CDer:001169128
发表于 2020-10-12 09:36 超大游击队员 | 显示全部楼层
败败败 发表于 2020-10-12 09:11
中芯国际也已经被美国制裁了。
这个N+1能做到非美么?

既然可以用到后续国产光刻机,那么去美化应该是可行的
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CDer:001067208
发表于 2020-10-12 10:28 | 显示全部楼层

RE: 中芯国际FinFET N+1工艺芯片流片成功,技术可用于后续国产光刻机

一只小黑喵 发表于 2020-10-12 02:04
你一定是业内人士 看你的留言都很经典 学习了只要22年能出全国产的7纳米也是很高兴的事

要是22年能出全国产的7nm的话, 华为就活下来了.
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CDer:001169952
发表于 2020-10-12 10:40 | 显示全部楼层

RE: 中芯国际FinFET N+1工艺芯片流片成功,技术可用于后续国产光刻机

超级无人机 发表于 2020-10-12 00:08
据称:FinFET N+1技术目前主要应用于ASML的进口光刻机,未来也可用在国产(上微)光刻机上,保守预测2021年 ...

lz方正证券这个有链接吗
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CDer:000456188
发表于 2020-10-12 10:45 | 显示全部楼层
就说一个新闻,台积电的28NM已经拿到供货华为的许可证了
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CDer:001170221
 楼主| 发表于 2020-10-12 11:15 | 显示全部楼层

RE: 中芯国际FinFET N+1工艺芯片流片成功,技术可用于后续国产光刻机

mac_sed 发表于 2020-10-12 10:40
lz方正证券这个有链接吗


整个文章,连这段话都是转的,我查了下,内容报道是驱动之家,方正证券是收费提供给客户,估计是截取或总结。
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CDer:001181717
发表于 2020-10-12 11:17 | 显示全部楼层

RE: 中芯国际FinFET N+1工艺芯片流片成功,技术可用于后续国产光刻机

cshjh302703 发表于 2020-10-12 00:48
也就是说,华为其实等得起……

这只是工艺,但没备和材料呢?

半导体的链条太长,任何一环节都可能被卡,要想不被卡很难。真不被卡,整个欧美已经没多少可以玩的了。
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CDer:000659470
发表于 2020-10-12 11:30 | 显示全部楼层

RE: 中芯国际FinFET N+1工艺芯片流片成功,技术可用于后续国产光刻机

一只小黑喵 发表于 2020-10-12 01:29
只要全国产dvu出来 用上中芯国际的工艺基本就进入7nm了,看来华为大有机会  我的10nm麒麟970用着还不算落 ...

应该是直接EUV吧?
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CDer:000667296
发表于 2020-10-12 11:43 | 显示全部楼层

RE: 中芯国际FinFET N+1工艺芯片流片成功,技术可用于后续国产光刻机

我人有的和主 发表于 2020-10-12 11:17
这只是工艺,但没备和材料呢?

半导体的链条太长,任何一环节都可能被卡,要想不被卡很难。真不被卡, ...

材料和光刻机,各种设备都在突破,
况且材料,也不是全都买不到,没有美国的材料,还有日本韩国欧洲的材料,

现在封锁情况下,就美国的INTEL AMD能供货,就其他国家的供应商不能供货,
其他国家也会不满的,即使不能明着供货给清单厂家,通过手套过一遍,耗材这些你怎么查?
特别是日本。。
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CDer:001097058
发表于 2020-10-12 11:54 | 显示全部楼层
多多努力。
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CDer:000413886
发表于 2020-10-12 11:55 | 显示全部楼层

RE: 中芯国际FinFET N+1工艺芯片流片成功,技术可用于后续国产光刻机

超级无人机 发表于 2020-10-12 00:08
据称:FinFET N+1技术目前主要应用于ASML的进口光刻机,未来也可用在国产(上微)光刻机上,保守预测2021年 ...

自媒体真是什么都敢写,换光刻机有那么容易吗 牵一发而动全身。中芯原先针对ASML光刻机多重曝光所制造的掩模都得换掉再重新设计 大量的时间和工作量。
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CDer:000264005
发表于 2020-10-12 12:02 | 显示全部楼层

RE: 中芯国际FinFET N+1工艺芯片流片成功,技术可用于后续国产光刻机

havok 发表于 2020-10-12 11:55
自媒体真是什么都敢写,换光刻机有那么容易吗 牵一发而动全身。中芯原先针对ASML光刻机多重曝光所制造的 ...

从你说的华卓精科亦庄二期明年上半年开工来看,上微的量产DUV最早可能也要等到2023年才能交付给SMIC了,再加上换光刻机的工艺研发,国产设备的N+1起码要等到2024年了吧?
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CDer:000264005
发表于 2020-10-12 12:24 | 显示全部楼层

RE: 中芯国际FinFET N+1工艺芯片流片成功,技术可用于后续国产光刻机

邂逅Samuel 发表于 2020-10-12 12:02
从你说的华卓精科亦庄二期明年上半年开工来看,上微的量产DUV最早可能也要等到2023年才能交付给SMIC了, ...

现在看来,2025年SMIC能用全国产材料设备来量产7nm,已经是最快的了。
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CDer:000413886
发表于 2020-10-12 12:26 | 显示全部楼层

RE: 中芯国际FinFET N+1工艺芯片流片成功,技术可用于后续国产光刻机

邂逅Samuel 发表于 2020-10-12 12:02
从你说的华卓精科亦庄二期明年上半年开工来看,上微的量产DUV最早可能也要等到2023年才能交付给SMIC了, ...

中芯某些人不是嘲笑上微90nm光刻机在fab里做吉祥物吗 现在怎么这么急着要了?
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CDer:001169128
发表于 2020-10-12 12:29 超大游击队员 | 显示全部楼层
havok 发表于 2020-10-12 11:55
自媒体真是什么都敢写,换光刻机有那么容易吗 牵一发而动全身。中芯原先针对ASML光刻机多重曝光所制造的 ...

我感觉可能从样机出现到开始到量产期间,SMIC就可以进行针对国产光刻机进行工艺研发了,就像台积电与ASML,ASML EUV量产之后台积电就可以生产对应EUV的工艺,之前不可能等到ASML量产后再开始研发
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发表于 2020-10-12 12:32 | 显示全部楼层

RE: 中芯国际FinFET N+1工艺芯片流片成功,技术可用于后续国产光刻机

havok 发表于 2020-10-12 12:26
中芯某些人不是嘲笑上微90nm光刻机在fab里做吉祥物吗 现在怎么这么急着要了?

遭制裁,没办法了。记得以前好像在论坛里看到有代工企业的人说上微的设备在他们厂里非常不好用,三天两头就出故障,不知道那人是不是中芯的。
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发表于 2020-10-12 12:38 | 显示全部楼层

RE: 中芯国际FinFET N+1工艺芯片流片成功,技术可用于后续国产光刻机

ztzhaha 发表于 2020-10-12 12:29
我感觉可能从样机出现到开始到量产期间,SMIC就可以进行针对国产光刻机进行工艺研发了,就像台积电与ASML ...

估计SMIC能拿到样机都难,除非SMIC愿意跟ICRD合作,然后派自己的工艺研发人员进驻ICRD。
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