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国产高能离子注入机成功实现百万电子伏特高能离子加速

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CDer:001058581
发表于 2020-06-29 09:46 超大游击队员 | 显示全部楼层 |阅读模式

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新华社6月28日报道,记者28日从中国电子科技集团有限公司获悉,由该集团旗下电科装备自主研制的高能离子注入机成功实现百万电子伏特高能离子加速,性能达到国际先进水平。

据介绍,离子注入机是芯片制造中的关键装备。在芯片制造过程中,需要掺入不同种类的元素按预定方式改变材料的电性能,这些元素以带电离子的形式被加速至预定能量并注入至特定半导体材料中,离子注入机即是执行这一掺杂工艺的芯片制造设备。

高能离子注入机是离子注入机中技术难度最大的机型。长久以来,因其极大的研发难度和较高的行业竞争壁垒,被称为离子注入机领域的“珠穆朗玛峰”,是我国集成电路制造装备产业链上亟待攻克的关键一环。

电科装备在离子注入机领域具有较好的技术积淀,已连续突破中束流、大束流、特种应用及第三代半导体等离子注入机产品研发及产业化难题,产品广泛服务于全球知名芯片制造企业。

电科装备离子注入机总监张丛表示,电科装备将在年底前推出首台高能离子注入机,实现我国芯片制造领域全系列离子注入机自主创新发展,并为全球芯片制造企业提供离子注入机成套解决方案。

(记者胡喆)

https://m.guancha.cn/industry-science/2020_06_29_555648.shtml
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发表于 2020-06-29 09:49 超大游击队员 | 显示全部楼层
现在好像就剩下部分高纯电子气卡脖子了吧
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CDer:000991094
发表于 2020-06-29 09:52 | 显示全部楼层
加油好消息多来几打
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CDer:001140379
发表于 2020-06-29 10:29 | 显示全部楼层
加油吧,多多益善,越快越好
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CDer:001066113
发表于 2020-06-29 11:09 | 显示全部楼层

RE: 国产高能离子注入机成功实现百万电子伏特高能离子加速

军事与科技粉 发表于 2020-06-29 09:49
现在好像就剩下部分高纯电子气卡脖子了吧

鬼子的东西其实不算特别卡
还是光刻机得出来,就算能生产14nm的也解决有无问题了
能生产7nm的就能把别人逼上绝路
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CDer:000406621
发表于 2020-06-29 11:33 | 显示全部楼层
未来两年国产12nm设备能不能出来?
三五年内7nm国产设备能不能出来?
生死存亡啊!
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CDer:000159547
发表于 2020-06-29 12:38 | 显示全部楼层

RE: 国产高能离子注入机成功实现百万电子伏特高能离子加速

罗衫浪子 发表于 2020-06-29 11:33
未来两年国产12nm设备能不能出来?
三五年内7nm国产设备能不能出来?
生死存亡啊!

5年内能把14NM全线贯通就相当好了,从材料、工艺直到设备,有了这个中国的电子产业就不会死,剩下就是追赶问题了。

不是做个试产,而是真正能用好用。
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CDer:001155804
发表于 2020-06-29 12:50 | 显示全部楼层

RE: 国产高能离子注入机成功实现百万电子伏特高能离子加速

fireeyes 发表于 2020-06-29 12:38
5年内能把14NM全线贯通就相当好了,从材料、工艺直到设备,有了这个中国的电子产业就不会死,剩下就是追 ...


如果光刻机如网上披露的节点出来,可能要不了五年!
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CDer:000159547
发表于 2020-06-29 13:25 | 显示全部楼层

RE: 国产高能离子注入机成功实现百万电子伏特高能离子加速

Guigui123 发表于 2020-06-29 12:50
如果光刻机如网上披露的节点出来,可能要不了五年!

他的说法是2021年出来,但你上百种材料上百套其他设备还有上百种工艺流程全部搞定,要能用好用,不是试几天就停机检修那种,2025年相当快了。
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CDer:000773683
发表于 2020-06-29 16:55 | 显示全部楼层
我们要是全面打通产业链,搞死那些外国厂商。  现在是逼人太甚。
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CDer:000037176
发表于 2020-06-29 17:41 | 显示全部楼层
中国电科是美国制裁名单上的常客,被制裁历史比华为还久。
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CDer:000229971
发表于 2020-06-29 21:54 | 显示全部楼层
之前看到文章说,线宽越小越先进的制程,越是不能用高能离子注入机,只能用低能大束流离子注入机,我的理解是高能离子流对精细的芯片破坏性较大。有没有懂行的兄弟出来科普一下?

如果是这样的话,高能离子注入机对国产28纳米及以下的制程产线帮助不大,那用于什么场合呢?是不是用于功率器件,如PA等?
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CDer:000040390
发表于 2020-06-29 22:06 | 显示全部楼层

RE: 国产高能离子注入机成功实现百万电子伏特高能离子加速

fireeyes 发表于 2020-06-29 12:38
5年内能把14NM全线贯通就相当好了,从材料、工艺直到设备,有了这个中国的电子产业就不会死,剩下就是追 ...

如果a-setduvi年底交付消息属实。其实比你说的乐观一点。
duvi年底明年初交付。由中芯台湾人团队反馈,成熟时间算两年吧。2022年底。蚀刻机、离子注入机已经基本搞定。三大件都弄完,其他的特种气体、光刻胶、测量系统(这个和duvi的测量子系统一个难度)这些都不是事。本身难度低于这三大件,米国毕竟只是盟主不是皇帝。这点在评价制裁效果时很重要。
这样算来,3到4年7nm不受制裁限制。除了高端手机估计还是得用tsmc的5nm及以下,其他芯片如基站、ai、服务器(arm)米国制裁不动了。。
到是euv光刻机非常捉急,按原定节点2030年的话,黄花菜凉了。必须加大投入,5到6年拿出来。
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CDer:001137415
发表于 2020-06-29 22:57 | 显示全部楼层

RE: 国产高能离子注入机成功实现百万电子伏特高能离子加速

本帖最后由 1154214316 于 2020-06-29 22:58 编辑
murongke 发表于 2020-06-29 22:06
如果a-setduvi年底交付消息属实。其实比你说的乐观一点。
duvi年底明年初交付。由中芯台湾人团队反馈, ...


一部分测量水平上不来很有可能跟我国模拟电路比如数模转换之类的芯片水平不高导致的,是否乐观可能还得看别的因素这还不好说。还有据传闻90nm的光刻机明年才能真的成熟,可能跟上海微电子的水平不高有很大关系且需要国内的其他外援导致的,而更先进的型号能否两年成熟可能有点疑问。部分测量仪器和光刻机用的像光栅和干涉仪之类的东西的可能原理不大一样,不过只要投入高也没啥,去美国化还是能完成的。
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CDer:001155804
发表于 2020-06-29 23:22 | 显示全部楼层

RE: 国产高能离子注入机成功实现百万电子伏特高能离子加速

1154214316 发表于 2020-06-29 22:57
一部分测量水平上不来很有可能跟我国模拟电路比如数模转换之类的芯片水平不高导致的,是否乐观可能还得 ...

90nm光刻机可以做28nm的芯片了吧?
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CDer:000040390
发表于 2020-06-29 23:40 超大游击队员 | 显示全部楼层
1154214316 发表于 2020-06-29 22:57
一部分测量水平上不来很有可能跟我国模拟电路比如数模转换之类的芯片水平不高导致的,是否乐观可能还得 ...

90nm光刻机是个不准确的说法。只有193nm波长侵润式光刻机。最多可以做到tsmc7nm的水平。这个可以进口。但是国产也要做。
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CDer:000159547
发表于 2020-06-30 00:46 | 显示全部楼层

RE: 国产高能离子注入机成功实现百万电子伏特高能离子加速

murongke 发表于 2020-06-29 22:06
如果a-setduvi年底交付消息属实。其实比你说的乐观一点。
duvi年底明年初交付。由中芯台湾人团队反馈, ...

现在最重要的还不是什么14NM还是7NM,而是90NM全套国产化。这个级别的芯片对应的是核心路由、防火墙、主干交换机、读/写卡器、CCD......对应的是国家主干网络比如光纤、4G、5G,医保、社保、工资卡管理、身份证等等,这些才是国之根本,这些出问题了那真的国家会乱。

所以争取2年内把90NM完全国产化才是重中之重。
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CDer:000400025
发表于 2020-06-30 01:57 | 显示全部楼层
有点不太理解

搞一条国产线,其他差不多了了,少个比如光刻机之类,倒卖一下弄个阿斯麦现成的二手设备,或者拆零件组装,先建立一条哲学国产线应该也可以。先解决有无问题,然后再慢慢改。
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CDer:001137415
发表于 2020-06-30 07:15 | 显示全部楼层

RE: 国产高能离子注入机成功实现百万电子伏特高能离子加速

本帖最后由 1154214316 于 2020-06-30 07:21 编辑
murongke 发表于 2020-06-29 23:40
90nm光刻机是个不准确的说法。只有193nm波长侵润式光刻机。最多可以做到tsmc7nm的水平。这个可以进口。但 ...


我明白,但是他这个90nm是单次曝光的线宽(实际上是85nm左右)同时比较容易坛友的理解,并不是说193nm波长只能出193nm的光,有一系列分辨率整强技术在里头,可以让他的分辨率更高。你这个说法不一定是对的,最后要看最后的套刻精度才能知道是否能做7nm,大多数的这个级别的光刻机分辨率都是三十多nm左右,其实我感觉那个28nm可能是原来的规划目标而已,现在的更高,但是能不能7nm不确定的。
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CDer:001137415
发表于 2020-06-30 07:17 | 显示全部楼层

RE: 国产高能离子注入机成功实现百万电子伏特高能离子加速

Guigui123 发表于 2020-06-29 23:22
90nm光刻机可以做28nm的芯片了吧?

套刻精度未必够啊,有点悬。
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CDer:000040390
发表于 2020-06-30 09:43 | 显示全部楼层

RE: 国产高能离子注入机成功实现百万电子伏特高能离子加速

1154214316 发表于 2020-06-30 07:15
我明白,但是他这个90nm是单次曝光的线宽(实际上是85nm左右)同时比较容易坛友的理解,并不是说193nm波 ...

28nm有个好处。单次曝光就可以,成本好控制。对于芯片体积和功耗不算太敏感的设备。28nm是够用、成本低。
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CDer:000040390
发表于 2020-06-30 09:46 | 显示全部楼层

RE: 国产高能离子注入机成功实现百万电子伏特高能离子加速

1154214316 发表于 2020-06-30 07:15
我明白,但是他这个90nm是单次曝光的线宽(实际上是85nm左右)同时比较容易坛友的理解,并不是说193nm波 ...

嗯。同样是193光源加浸润,最后能做到多少晶体管密度还是要看设备水平。不过我个人感觉问题不大。因为路asml和台积电在前面已经走通了。原理清楚可行,至少可以省一半时间和钱。
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CDer:000979950
发表于 2020-06-30 09:58 | 显示全部楼层

RE: 国产高能离子注入机成功实现百万电子伏特高能离子加速

本帖最后由 xdw076 于 2020-06-30 09:59 编辑
SXS007 发表于 2020-06-30 01:57
有点不太理解

搞一条国产线,其他差不多了了,少个比如光刻机之类,倒卖一下弄个阿斯麦现成的二手设备, ...


超大的同志比较急,想一步到位,全国产。其实现在不现实,现在主要能替掉美系设备就算可以。
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CDer:001167536
发表于 2020-06-30 10:03 超大游击队员 | 显示全部楼层
murongke 发表于 2020-06-29 22:06
如果a-setduvi年底交付消息属实。其实比你说的乐观一点。
duvi年底明年初交付。由中芯台湾人团队反馈, ...

2030出EUV这个时间节点是来自于2015年我朝公布的《中国制造2025》……那个时候长江存储和合肥长鑫甚至都不存在……今时不同往日,出EUV的时间节点定会大大提前,最有可能是中国制造2025,也就是5年后
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CDer:001137415
发表于 2020-06-30 10:03 超大游击队员 | 显示全部楼层
murongke 发表于 2020-06-30 09:43
28nm有个好处。单次曝光就可以,成本好控制。对于芯片体积和功耗不算太敏感的设备。28nm是够用、成本低 ...

28nm可能也无法单次曝光,都是多重曝光来的。只要国内销售的所有芯片都是这个级别我们的厂家才会有竞争力,只是军事的话倒是没什么问题。
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CDer:001137415
发表于 2020-06-30 10:09 超大游击队员 | 显示全部楼层
本帖最后由 1154214316 于 2020-06-30 10:21 编辑
murongke 发表于 2020-06-30 09:46
嗯。同样是193光源加浸润,最后能做到多少晶体管密度还是要看设备水平。不过我个人感觉问题不大。因为路 ...


没错,设备水平挺重要的,要不代工厂老是换光刻机嘛,而波长很可能决定了你晶闸管的密度,用大波长造高制程,成本可能会过高。额,原理到真的不是问题,现在的一些东西都追溯到十几二十年前了甚至更久,问题有可能出在上海微电子的水平上,有点弱啊,听说还需要中科院等部门专门的协作于帮助。
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CDer:000040390
发表于 2020-06-30 10:20 | 显示全部楼层

RE: 国产高能离子注入机成功实现百万电子伏特高能离子加速

1154214316 发表于 2020-06-30 10:09
没错,设备水平挺重要的,要不代工厂老是换光刻机嘛,而波长很可能决定了你晶闸管的密度,用低波长造高 ...

说起smee,其实很多批量小,技术复杂技术产业并不适合放在上海。年轻工程师房价负担太大流动率太高了。
上海靠海有大港,比较适合规模化制造的东西。
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发表于 2020-06-30 10:28 超大游击队员 | 显示全部楼层
murongke 发表于 2020-06-30 10:20
说起smee,其实很多批量小,技术复杂技术产业并不适合放在上海。年轻工程师房价负担太大流动率太高了。
...

你说的倒是有道理,但是这种大规模生产商品之类的厂商大都像昆山之类的地方跑了,原因还是因为规划或者地价问题。本身光刻机设计难度没那么高,问题可能还在配套产业加工方面,还有上微以前没有意愿,现在有了估计还在发展之中都得慢慢来就像asml过去一样,其实上微工资涨了很多了,这玩意还是需要高级别的技术人才尤其是加工装配,年轻工程师很可能就是螺丝钉。
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CDer:000040390
发表于 2020-06-30 10:50 | 显示全部楼层

RE: 国产高能离子注入机成功实现百万电子伏特高能离子加速

1154214316 发表于 2020-06-30 10:28
你说的倒是有道理,但是这种大规模生产商品之类的厂商大都像昆山之类的地方跑了,原因还是因为规划或者地 ...

我也感觉子系统精度和组装加工精度更关键。毕竟原理asml和tsmc已经走通,结构国内晶圆厂duvi也不少。
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CDer:000460126
发表于 2020-06-30 10:52 | 显示全部楼层

RE: 国产高能离子注入机成功实现百万电子伏特高能离子加速

不错,中国人才多,企业多,芯片产业链所需设备和材料,真不够这么多企业分的.
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CDer:000360888
发表于 2020-06-30 11:24 | 显示全部楼层

RE: 国产高能离子注入机成功实现百万电子伏特高能离子加速

lizhiling 发表于 2020-06-30 10:52
不错,中国人才多,企业多,芯片产业链所需设备和材料,真不够这么多企业分的.

不够的话就让他们竞争呗,正好谁强谁赢
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发表于 2020-06-30 11:31 | 显示全部楼层

RE: 国产高能离子注入机成功实现百万电子伏特高能离子加速

Kingsley911 发表于 2020-06-30 10:03
2030出EUV这个时间节点是来自于2015年我朝公布的《中国制造2025》……那个时候长江存储和合肥长鑫甚至都 ...

2025年能出来确实不错。比asml的初代机器3400晚十年。可以了。就怕出不来啊。。。。

就我比较理想的思路2025年前7nm工艺(按台积电标准)。工艺本身和现在的美制设备能够搞定。然后euv续上其实就不虚制裁了。

毕竟按现有信息,5nm、3nmfinfet或gaa成本很高,euv的随机缺陷不好解决。单位晶体管成本反而上升了。duvi工艺可以撑到2025年。
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CDer:001092336
发表于 2020-06-30 13:02 | 显示全部楼层

RE: 国产高能离子注入机成功实现百万电子伏特高能离子加速

murongke 发表于 2020-06-30 10:20
说起smee,其实很多批量小,技术复杂技术产业并不适合放在上海。年轻工程师房价负担太大流动率太高了。
...

上海根本不适合作为国家重器的生产基地,这种地方人心浮躁,要求高工资高福利,那些长时间没有高额回报的行业根本不适合。
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发表于 2020-06-30 21:05 | 显示全部楼层
一个字:好极!
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发表于 2020-07-01 00:32 | 显示全部楼层

RE: 国产高能离子注入机成功实现百万电子伏特高能离子加速

xdw076 发表于 2020-06-30 09:58
超大的同志比较急,想一步到位,全国产。其实现在不现实,现在主要能替掉美系设备就算可以。

甚至弄点美系转手设备,地下渠道设备材料。

事情先干起来,逐步完善,逐步配齐。

当年新四军也搞日寇的盘尼西林用
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发表于 2020-07-01 01:22 | 显示全部楼层

RE: 国产高能离子注入机成功实现百万电子伏特高能离子加速

shanying58 发表于 2020-06-30 13:02
上海根本不适合作为国家重器的生产基地,这种地方人心浮躁,要求高工资高福利,那些长时间没有高额回报的 ...

既然这个东西重要那就应该是高薪。如果收益不高于其他行业,你放在别的地方也留不住人,这跟上海不上海的关系不大。相反根据咱们国家的套路,很多大项目都要地方政府投资的,上海有钱,所以放在这才是合适的。
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发表于 2020-07-01 01:39 | 显示全部楼层

RE: 国产高能离子注入机成功实现百万电子伏特高能离子加速

fireeyes 发表于 2020-07-01 01:22
既然这个东西重要那就应该是高薪。如果收益不高于其他行业,你放在别的地方也留不住人,这跟上海不上海的 ...

上海的高消费呢?其它地方工资低点,好歹消费低,买房还有看头。上海的国家项目就没几个能像样。
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发表于 2020-07-01 02:26 | 显示全部楼层

RE: 国产高能离子注入机成功实现百万电子伏特高能离子加速

shanying58 发表于 2020-07-01 01:39
上海的高消费呢?其它地方工资低点,好歹消费低,买房还有看头。上海的国家项目就没几个能像样。

1、这个世界上最了解你的人就是你的对手。人家不选高铁高速,也不打网购横店,因为对手算过牌了,知道这东西是我们的软肋。
2、他这么一打的确让我们很难受,我们最好的两家也是世界排名前列的两家通讯公司一个被控制一个估计会受重伤。整个电子产业,上千万人的就业都受到威胁,其他行业有这种情况吗?那就证明对方打对了。

对手已经告诉我们了,这个东西最重要,那么从事这个行业的待遇就要远高于其他行业的同等工种。比如其他行业的工程师或者骨干月薪2万,那这个行业就得5万,其他行业去偏远地区,而这个行业就应该在最好的地方,让从业者被别人羡慕。

按你这说法去什么三线城市,大家都不愿意更没人羡慕,高水平的人材谁会愿意做这个。
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发表于 2020-07-01 03:34 超大游击队员 | 显示全部楼层
shanying58 发表于 2020-06-30 13:02
上海根本不适合作为国家重器的生产基地,这种地方人心浮躁,要求高工资高福利,那些长时间没有高额回报的 ...

硅谷是美国物价最高的地方,也是高科技人才最集中的地方。所以两者并不矛盾

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CDer:001129287
发表于 2020-07-01 08:46 超大游击队员 | 显示全部楼层
这种设备跟光刻机一个级别,国外最高的好像是能达六百万电子伏特,我们的才刚百万伏特,差距有点大,刚踩到帝国主义脚后跟,再接再厉。
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