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打破日美垄断 国产ArF光刻胶取得重大突破:可用于7nm工艺

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CDer:000921248
发表于 2020-05-22 19:21 | 显示全部楼层 |阅读模式

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作为半导体卡脖子的技术之一,很多人只知道光刻机,却不知道光刻胶的重要性,这个市场也是被日本及美国公司垄断,TOP5厂商占了全球85%的份额。

国产光刻胶此前只能用于低端工艺生产线中,能做到G 线(436nm)、I 线 (365nm)水平,目前主要在用的ArF光刻胶还是靠进口,EUV光刻胶目前还没有公司能生产,基本上都控制在日本公司手中。

不过EUV光刻胶也不是急需的,因为国内目前还没有EUV工艺量产,193nm的ArF光刻胶更加重要,目前国内有多家公司正在公关中,这种光刻胶可以用于28nm到7nm工艺的先进工艺。

今天,南大光电在互动平台表示,公司的ArF光刻胶正在按计划进行客户测试,这意味着国内的ArF光刻胶技术取得了重要突破,从研发开始走向生产。

根据南大光电公司之前的 消息,公司于2017年开始研发“193nm 光刻胶项目”,已获得国家“02 专项”的相关项目立项,公司计划通过3年的建设、投产及实现销售,达到年产25吨 193nm(ArF干式和浸没式)光刻胶产品的生产规模,产品将满足集成电路行业需求标准。


https://news.mydrivers.com/1/690/690764.htm
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CDer:001120666
发表于 2020-05-22 19:42 | 显示全部楼层
好消息,太好了,中国科研人员万岁
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CDer:001137415
发表于 2020-05-22 19:43 | 显示全部楼层

RE: 打破日美垄断 国产ArF光刻胶取得重大突破:可用于7nm工艺

本帖最后由 1154214316 于 2020-05-22 19:48 编辑

湿和干的光刻胶数量比例好像是1比4,公司的董秘说客户产品验证的PRS(基础工艺考核)阶段。据说争取年底前能通过客户测试(不确定是进入下一阶段还是别的什么)。而且还投了六亿要建光刻胶材料配套项目。几乎要完全国产化,是真的强。
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发表于 2020-05-22 19:51 | 显示全部楼层
美国制裁怎么办?
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CDer:000658878
发表于 2020-05-22 19:52 | 显示全部楼层
要是明年中期能够凑一套国产7nm产线,所有国产非手机soc 的IC都可以或者;
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CDer:000460126
发表于 2020-05-22 19:55 | 显示全部楼层

RE: 打破日美垄断 国产ArF光刻胶取得重大突破:可用于7nm工艺

1154214316 发表于 2020-05-22 19:43
湿和干的光刻胶数量比例好像是1比4,公司的董秘说客户产品验证的PRS(基础工艺考核)阶段。据说争取年底前 ...

是啊.TG现在搞芯片产业链确实困难,但一旦搞成了.将是世界上唯一一个芯片全产业链的国家.
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CDer:001137415
发表于 2020-05-22 20:01 | 显示全部楼层

RE: 打破日美垄断 国产ArF光刻胶取得重大突破:可用于7nm工艺

lizhiling 发表于 2020-05-22 19:55
是啊.TG现在搞芯片产业链确实困难,但一旦搞成了.将是世界上唯一一个芯片全产业链的国家.

政府和政府成立的基金基本上只要有一定的能力,是要钱给钱,要地就给批地,奈何发展这些需要时间,美国人有点等不及了,也不知道来得及不。。
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CDer:001063626
发表于 2020-05-22 20:09 | 显示全部楼层

RE: 打破日美垄断 国产ArF光刻胶取得重大突破:可用于7nm工艺

豆豆911 发表于 2020-05-22 19:52
要是明年中期能够凑一套国产7nm产线,所有国产非手机soc 的IC都可以或者;

明年中期可能很难做到
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CDer:001046512
发表于 2020-05-22 20:40 | 显示全部楼层
好消息
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CDer:001155804
发表于 2020-05-22 20:49 | 显示全部楼层

RE: 打破日美垄断 国产ArF光刻胶取得重大突破:可用于7nm工艺

Alpha_I 发表于 2020-05-22 20:09
明年中期可能很难做到

明年年底如果能做到,那也牛啊!
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CDer:001165206
发表于 2020-05-22 21:12 | 显示全部楼层

RE: 打破日美垄断 国产ArF光刻胶取得重大突破:可用于7nm工艺

豆豆911 发表于 2020-05-22 19:52
要是明年中期能够凑一套国产7nm产线,所有国产非手机soc 的IC都可以或者;

年底能搞一套纯国产的28nm或者14nm产线就OK了,保证了华为的通信设备,手机的CPU暂时先买吧
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CDer:001137415
发表于 2020-05-22 21:17 | 显示全部楼层

RE: 打破日美垄断 国产ArF光刻胶取得重大突破:可用于7nm工艺

deffand 发表于 2020-05-22 21:12
年底能搞一套纯国产的28nm或者14nm产线就OK了,保证了华为的通信设备,手机的CPU暂时先买吧

半导体厂建设周期都长达数年,就只是产线建设,设备制造到厂组装加产线各设备调试估计都得有一年多以上,这也太急了。
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CDer:001165206
发表于 2020-05-22 21:20 | 显示全部楼层

RE: 打破日美垄断 国产ArF光刻胶取得重大突破:可用于7nm工艺

1154214316 发表于 2020-05-22 21:17
半导体厂建设周期都长达数年,就只是产线建设,设备制造到厂组装加产线各设备调试估计都得有一年多以上, ...

额,比起他们明年中期建成7nm 宽松多了吧
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CDer:000970693
发表于 2020-05-22 21:21 | 显示全部楼层
港版国安法就要制定了,美国不是说要采取行动吗,全面对抗全面脱钩要开始了,这对于华为、对于半导体产业链未尝不是好事。
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CDer:001097058
发表于 2020-05-22 22:27 | 显示全部楼层
再接在励,继续努力。
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CDer:000076824
发表于 2020-05-22 22:54 | 显示全部楼层

RE: 打破日美垄断 国产ArF光刻胶取得重大突破:可用于7nm工艺

1154214316 发表于 2020-05-22 19:43
湿和干的光刻胶数量比例好像是1比4,公司的董秘说客户产品验证的PRS(基础工艺考核)阶段。据说争取年底前 ...

ArF浸润式和干式的技术上有很大差别么?新闻报道里好像都没有说南大光电这个是浸润式还是干式的啊。
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CDer:001137415
发表于 2020-05-23 07:17 | 显示全部楼层

RE: 打破日美垄断 国产ArF光刻胶取得重大突破:可用于7nm工艺

天堂风暴 发表于 2020-05-22 22:54
ArF浸润式和干式的技术上有很大差别么?新闻报道里好像都没有说南大光电这个是浸润式还是干式的啊。

貌似是在股吧还是什么地方看见的,有点记不住了,湿法和干法都有的,应该是靠谱的。湿法光刻胶是要接触折射那层水膜的,应该是不同的。
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CDer:000166316
发表于 2020-05-23 07:36 | 显示全部楼层

RE: 打破日美垄断 国产ArF光刻胶取得重大突破:可用于7nm工艺

1154214316 发表于 2020-05-22 21:17
半导体厂建设周期都长达数年,就只是产线建设,设备制造到厂组装加产线各设备调试估计都得有一年多以上, ...

工厂不需重建,用原有的产线,进行国产化替代就行,能替代一部分,就替代一部分,逐步推进。
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CDer:000076824
发表于 2020-05-23 14:09 | 显示全部楼层

RE: 打破日美垄断 国产ArF光刻胶取得重大突破:可用于7nm工艺

1154214316 发表于 2020-05-23 07:17
貌似是在股吧还是什么地方看见的,有点记不住了,湿法和干法都有的,应该是靠谱的。湿法光刻胶是要接触折 ...

哦,那就是干式和浸润式的同时在开发?以前以为只有干式的在弄,新闻报道里也只说ArF,不提干式还是湿式(不排除是因为记者编辑也不懂这个)。
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CDer:001067895
发表于 2020-05-23 18:30 | 显示全部楼层

RE: 打破日美垄断 国产ArF光刻胶取得重大突破:可用于7nm工艺

豆豆911 发表于 2020-05-22 19:52
要是明年中期能够凑一套国产7nm产线,所有国产非手机soc 的IC都可以或者;

梦里真的什么都有吗?
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CDer:001067895
发表于 2020-05-23 18:31 | 显示全部楼层

RE: 打破日美垄断 国产ArF光刻胶取得重大突破:可用于7nm工艺

zjdyxd1 发表于 2020-05-23 07:36
工厂不需重建,用原有的产线,进行国产化替代就行,能替代一部分,就替代一部分,逐步推进。

????全新的工艺,全新的技术用原有的产线???
??????
????
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CDer:000408631
发表于 2020-05-23 20:33 超大游击队员 | 显示全部楼层
lizhiling 发表于 2020-05-22 19:55
是啊.TG现在搞芯片产业链确实困难,但一旦搞成了.将是世界上唯一一个芯片全产业链的国家.

md在把tg打造成一个怪兽
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CDer:000460126
发表于 2020-05-23 20:36 | 显示全部楼层

RE: 打破日美垄断 国产ArF光刻胶取得重大突破:可用于7nm工艺

wxzxf 发表于 2020-05-23 20:33
md在把tg打造成一个怪兽

是的,但这个过程是相当困难的,如果不能坚持,或者有大的方向错误的话,就很难升级成功了.
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CDer:000360888
发表于 2020-05-23 21:30 | 显示全部楼层

RE: 打破日美垄断 国产ArF光刻胶取得重大突破:可用于7nm工艺

deffand 发表于 2020-05-22 21:12
年底能搞一套纯国产的28nm或者14nm产线就OK了,保证了华为的通信设备,手机的CPU暂时先买吧

华为的基站芯片也是7nm
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CDer:000307317
发表于 2020-05-24 11:59 超大游击队员 | 显示全部楼层
lizhiling 发表于 2020-05-22 19:55
是啊.TG现在搞芯片产业链确实困难,但一旦搞成了.将是世界上唯一一个芯片全产业链的国家.

吃独食,不一定就好。
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CDer:000949117
发表于 2020-05-24 12:06 超大游击队员 | 显示全部楼层
lsgonglu 发表于 2020-05-24 11:59
吃独食,不一定就好。

去美国化,团结一切其他力量
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CDer:000979950
发表于 2020-05-24 17:30 | 显示全部楼层
要18个月验证呢,至少后年了。后年差不多能凑个14NM的产线。
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CDer:000254898
发表于 2020-05-24 18:23 超大游击队员 | 显示全部楼层
特朗普绝对是我国高科技产业的助攻,
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CDer:000166316
发表于 2020-05-25 06:08 超大游击队员 | 显示全部楼层
webweb 发表于 2020-05-23 18:31
????全新的工艺,全新的技术用原有的产线???
??????
????

那么请问新的光刻胶是如何在原来的客户那里进行验证的呢?难不成客户重新建一条线来用于验证光刻胶?以后每研发一个替代技术,就重新建一条线?
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CDer:000284559
发表于 2020-05-25 08:00 超大游击队员 | 显示全部楼层
zjdyxd1 发表于 2020-05-25 06:08
那么请问新的光刻胶是如何在原来的客户那里进行验证的呢?难不成客户重新建一条线来用于验证光刻胶?以后 ...

对,我们就这么干!
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CDer:000658878
发表于 2020-05-25 08:11 | 显示全部楼层

RE: 打破日美垄断 国产ArF光刻胶取得重大突破:可用于7nm工艺

Alpha_I 发表于 2020-05-22 20:09
明年中期可能很难做到

SSA800的设计,如果产业链有人统筹规划,;所有的节点指向2020末可以的话,那么相应其他环节应该也会跟上;
中芯国际从头参与,第一条SSA800的线能够做到7nm也未必不可以
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CDer:001063626
发表于 2020-05-25 10:03 | 显示全部楼层

RE: 打破日美垄断 国产ArF光刻胶取得重大突破:可用于7nm工艺

豆豆911 发表于 2020-05-25 08:11
SSA800的设计,如果产业链有人统筹规划,;所有的节点指向2020末可以的话,那么相应其他环节应该也会跟上 ...

目前没听说中芯国际参与了SSA800的设计与改进。
他们有了ASML的光刻机,根本就看不上SMEE;不过也不能怪他们,因为他们自己本身技术基础就薄弱,还承担着打通中国自己的先进制程技术的重大任务。
就像这次,他们即使不敢硬顶美国给海思代工,我觉得也不能怪他们。
只希望中芯在做好自己的任务的同时,国家也多投点钱,中芯这样的公司也出点人力,为国产产业链上游设备多做一点测试和试用。
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CDer:001067895
发表于 2020-05-25 10:36 | 显示全部楼层

RE: 打破日美垄断 国产ArF光刻胶取得重大突破:可用于7nm工艺

zjdyxd1 发表于 2020-05-25 06:08
那么请问新的光刻胶是如何在原来的客户那里进行验证的呢?难不成客户重新建一条线来用于验证光刻胶?以后 ...

目前在用的光刻胶2002年就有了,一种产品用个20年以上不成问题。
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CDer:001067895
发表于 2020-05-25 10:41 | 显示全部楼层

RE: 打破日美垄断 国产ArF光刻胶取得重大突破:可用于7nm工艺

豆豆911 发表于 2020-05-25 08:11
SSA800的设计,如果产业链有人统筹规划,;所有的节点指向2020末可以的话,那么相应其他环节应该也会跟上 ...

中芯国际连7纳米都不掌握,参与个啥??
另外,smee官方网站都查不到ssa800这款产品。
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CDer:000166316
发表于 2020-05-25 14:03 | 显示全部楼层

RE: 打破日美垄断 国产ArF光刻胶取得重大突破:可用于7nm工艺

webweb 发表于 2020-05-25 10:36
目前在用的光刻胶2002年就有了,一种产品用个20年以上不成问题。

不就是为了替代以前的,而去验证么?以前的能用,能说明啥问题啊。供应链永远可以去尝试新的东西,不管是出于何种目的:更好的性能,更便宜的价格,更多的选择,更稳定的供应,等等....
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CDer:001066113
发表于 2020-05-25 16:25 | 显示全部楼层

RE: 打破日美垄断 国产ArF光刻胶取得重大突破:可用于7nm工艺

豆豆911 发表于 2020-05-25 08:11
SSA800的设计,如果产业链有人统筹规划,;所有的节点指向2020末可以的话,那么相应其他环节应该也会跟上 ...

这大概是想多了……
就算ssa800出来,也不见得能做到7nm
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CDer:000893107
发表于 2020-05-25 16:46 超大游击队员 | 显示全部楼层
Alpha_I 发表于 2020-05-25 10:03
目前没听说中芯国际参与了SSA800的设计与改进。
他们有了ASML的光刻机,根本就看不上SMEE;不过也不能怪 ...

中芯要是发华为的工资早搞成了
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CDer:001095999
发表于 2020-05-26 11:25 | 显示全部楼层

RE: 打破日美垄断 国产ArF光刻胶取得重大突破:可用于7nm工艺

Alpha_I 发表于 2020-05-22 20:09
明年中期可能很难做到

据说28纳米的光刻机上微年底就可以出来了,多次曝光可以达到7nm。刻蚀机中微已经有5nm的了。
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CDer:001095999
发表于 2020-05-26 11:51 | 显示全部楼层

RE: 打破日美垄断 国产ArF光刻胶取得重大突破:可用于7nm工艺

汝儿乃我 发表于 2020-05-23 21:30
华为的基站芯片也是7nm

据宁南山说,华为的基站芯片5G部分有个几百万套备货应该也够了,毕竟不像手机的量大,这个在120天内备货应该来得及,可以让台积电优先生产这个。手机芯片备货用完了,可以买紫光展锐的(6nm的)和联发科的顶一下,分别用于高端机和中低端机。

至于芯片设计软件EDA,据宁南山说华为也在自研,进展应该可以,而且与意法半导体也有合作。之前看到过有网友爆料:一个华为工程师说去年他们用华大九天的EDA设计芯片,达不到要求,华大九天直接派了工程师进驻华为半年,终于达到了14nm的要求。这个消息属实的话,说明华大九天的EDA至少可以达到14nm设计要求,再跟华为合作努力一下,达到7nm也是可期的。
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CDer:001063626
发表于 2020-05-26 12:12 | 显示全部楼层

RE: 打破日美垄断 国产ArF光刻胶取得重大突破:可用于7nm工艺

雕塑时光 发表于 2020-05-26 11:25
据说28纳米的光刻机上微年底就可以出来了,多次曝光可以达到7nm。刻蚀机中微已经有5nm的了。

不是那么简单的。
SMEE的前道光刻机从来没有在商业流片时用过,我指的的是90nm以下的。
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