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CDer:000279531 楼主: EKW
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上微将于2022年交付首台28nm工艺国产沉浸式光刻机

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CDer:000114850
发表于 2021-04-17 19:06 超大游击队员 | 显示全部楼层
statuepeace24 发表于 2021-04-17 18:40
euv国家队重组?怎么个另起炉灶法?

DUV准分子光源是微电子所的技术团队出来组建科益虹源,EUV目前看是上光所激光LPP,除此之外还有华中CO2LPP和哈工毛细管放电DPP,没科益虹源啥事
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CDer:000114850
发表于 2021-04-17 19:12 超大游击队员 | 显示全部楼层
捍卫真相 发表于 2021-04-17 18:46
航发的进步速度慢多了,平均每15到20年才进步一代。leap系列和cfm56-7相比,油耗指标也就降低了15% {:178 ...

只是拿来做个例子,而且航发领域CFM与LEAP是技术继承发展的关系,机械材料领域发展到现在,1%的指标进步都是跨越天堑。DUV和EUV之间技术上缺乏足够的继承性,是不同的技术路线分支,自然看起来快多了,要是还按准分子激光光源的路线走,那估计眼下157nm的准分子激光都跨越不了,兔子能一步把差距拉到零
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CDer:000294737
发表于 2021-04-17 19:21 | 显示全部楼层

RE: 上微将于2022年交付首台28nm工艺国产沉浸式光刻机

zxd1981 发表于 2021-04-17 19:12
只是拿来做个例子,而且航发领域CFM与LEAP是技术继承发展的关系,机械材料领域发展到现在,1%的指标进步 ...

有一点我很奇怪,从理论上讲,euv比duvi还要少一个子系统:浸没系统,为什么euv看起来比duvi更难?假如我朝能够同时拿到twinscan nxt 1980i和nxe 3400C的全部子系统,组装调试哪一个会更快一点?
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CDer:000114850
发表于 2021-04-17 19:50 超大游击队员 | 显示全部楼层
本帖最后由 zxd1981 于 2021-04-17 19:53 编辑
捍卫真相 发表于 2021-04-17 19:21
有一点我很奇怪,从理论上讲,euv比duvi还要少一个子系统:浸没系统,为什么euv看起来比duvi更难?假如我 ...


EUV驱动光源需要的脉冲功率大,脉宽低,频率高,相当于造一门火炮,既有巴比伦的威力,又有撕布机的射速。典型的大力出奇迹。其他方面则是EUV的特性造成的材料、工艺和结构等技术路线的差别造成DUV累积的这方面技术和参数无法拿来应用,只能重新研发
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CDer:000140985
发表于 2021-04-17 20:00 | 显示全部楼层

RE: 上微将于2022年交付首台28nm工艺国产沉浸式光刻机

zxd1981 发表于 2021-04-17 19:50
EUV驱动光源需要的脉冲功率大,脉宽低,频率高,相当于造一门火炮,既有巴比伦的威力,又有撕布机的射 ...

还要射得准
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