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打击台湾和台积电的好方法

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CDer:001169952
发表于 2020-11-27 10:24 | 显示全部楼层

RE: 打击台湾和台积电的好方法

havok 发表于 2020-11-27 09:32
买的老机型。SSA800就是193nm干式双台ArF光刻机的型号。不过型号名称叫啥不重要,关键是技术参数指标,由于 ...

这样看的话SSA800对标的是什么等级的工艺?90nm?
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CDer:000413886
发表于 2020-11-27 11:45 超大游击队员 | 显示全部楼层

Re.打击台湾和台积电的好方法

mac_sed 发表于 2020-11-27 10:20:23
吓那28nm浸入式不是SSA800吗?难不成给个啥SSA900?
浸没式是SSA800/10W,还有几个暂未公开的型号。
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CDer:000413886
发表于 2020-11-27 12:02 超大游击队员 | 显示全部楼层

Re.打击台湾和台积电的好方法

mac_sed 发表于 2020-11-27 10:24:23
这样看的话SSA800对标的是什么等级的工艺?90nm?
分辨率在80nm左右,要看整机的工艺因子,偏振照明技术,分辨率增强技术等等 具体曝光测试后才知道。
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CDer:001165272
发表于 2020-11-27 12:05 | 显示全部楼层

RE: 打击台湾和台积电的好方法

havok 发表于 2020-11-27 12:02
分辨率在80nm左右,要看整机的工艺因子,偏振照明技术,分辨率增强技术等等 具体曝光测试后才知道。

现在要验收的机器是28纳米,过个一两年不知能完善到7纳米左右。
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CDer:001169952
发表于 2020-11-27 12:24 | 显示全部楼层

RE: 打击台湾和台积电的好方法

havok 发表于 2020-11-27 12:02
分辨率在80nm左右,要看整机的工艺因子,偏振照明技术,分辨率增强技术等等 具体曝光测试后才知道。

干式ArF分辨率80nm 我看了看ASML官网 这也就和他们的KrF干式光刻机1060K一个水平啊……
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CDer:000413886
发表于 2020-11-27 13:07 超大游击队员 | 显示全部楼层

Re.打击台湾和台积电的好方法

mac_sed 发表于 2020-11-27 12:24:03
干式ArF分辨率80nm我看了看ASML官网这也就和他们的KrF干式光刻机1060K一个水平啊……
1060K采用NA0.93的镜头,而SSA800是NA0.82的镜头。根据瑞利判据尽管波长不一样但得到的分辨率差不多。而且ASML可以把整机工艺因子控制得很低 其浸没光刻机的工艺因子可以接近极限的0.25,这方面上微还有一定差距的。
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CDer:001169952
发表于 2020-11-27 13:10 | 显示全部楼层

RE: 打击台湾和台积电的好方法

havok 发表于 2020-11-27 13:07
1060K采用NA0.93的镜头,而SSA800是NA0.82的镜头。根据瑞利判据尽管波长不一样但得到的分辨率差不多。而且A ...

希望后续能小步快跑跟上来
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CDer:001169952
发表于 2020-11-27 13:12 | 显示全部楼层

RE: 打击台湾和台积电的好方法

havok 发表于 2020-11-27 09:32
买的老机型。SSA800就是193nm干式双台ArF光刻机的型号。不过型号名称叫啥不重要,关键是技术参数指标,由于 ...

在研的就是干式ArF吗
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CDer:000413886
发表于 2020-11-27 13:22 | 显示全部楼层

RE: 打击台湾和台积电的好方法

mac_sed 发表于 2020-11-27 13:12
在研的就是干式ArF吗

是的         
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CDer:001169952
发表于 2020-11-27 15:09 | 显示全部楼层

RE: 打击台湾和台积电的好方法


看了看55nm和45nm的pitch和线宽 干式机理论上应该是有望做到45纳米工艺节点的?
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CDer:000042706
发表于 2020-11-27 17:04 超大游击队员 | 显示全部楼层
打击台积电有什么用?是怕三星成长不快?还是怕芯片制造不回流美国?
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CDer:000413886
发表于 2020-11-27 19:20 | 显示全部楼层

RE: 打击台湾和台积电的好方法

mac_sed 发表于 2020-11-27 15:09
看了看55nm和45nm的pitch和线宽 干式机理论上应该是有望做到45纳米工艺节点的?

45nm可以用干式机,40nm及以下采用浸没机
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CDer:001169952
发表于 2020-11-27 19:55 | 显示全部楼层

RE: 打击台湾和台积电的好方法

havok 发表于 2020-11-27 19:20
45nm可以用干式机,40nm及以下采用浸没机

我看了看华为CBG部分的芯片 不算手机芯片、智慧屏和手表芯片(5-28nm),就是安防摄像头、行车记录仪等等芯片最低的要求也得是40nm,这种情况下依然需要浸入式光刻机否则没法做到工艺节点要求
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CDer:001091980
发表于 2020-11-27 20:07 | 显示全部楼层

RE: 打击台湾和台积电的好方法

havok 发表于 2020-11-27 19:20
45nm可以用干式机,40nm及以下采用浸没机

我想请教一个问题,就拿CMP来举例,虽然都叫做CMP,但是我们可以把CMP分成好几种类型,比如说处理W的,处理Cu的,处理Co的,处理二氧化硅的,虽然这里面存在一些差距,但是应该还是存在一些共性技术的吧,比如说超精密控制之类的,我不知道我的理解对不对。
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CDer:001169952
发表于 2020-11-27 20:10 | 显示全部楼层

RE: 打击台湾和台积电的好方法

havok 发表于 2020-11-27 19:20
45nm可以用干式机,40nm及以下采用浸没机

SSA800(无10W)的验证情况如何呢?已经开始在ICRD或者fab客户处开始验证了吗?
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CDer:000413886
发表于 2020-11-28 08:54 | 显示全部楼层

RE: 打击台湾和台积电的好方法

寂静之月 发表于 2020-11-27 20:07
我想请教一个问题,就拿CMP来举例,虽然都叫做CMP,但是我们可以把CMP分成好几种类型,比如说处理W的,处 ...

技术细节根据各个逻辑节点的工艺不同有区别,制程线宽不断缩减抛光液配方更加复杂、抛光步骤也更多。但基本的原理大致相同,主要是纳米级抛光、纳米颗粒超洁净清洗、纳米精度膜厚在线检测等等,精度要求越高,需要越先进的抛光头超精密分区压力控制技术和终点检测技术。

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CDer:000174323
发表于 2020-11-28 09:45 | 显示全部楼层
台积电不就是靠几台ASML EUV吗?
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CDer:001169952
发表于 2020-11-28 20:00 | 显示全部楼层

RE: 打击台湾和台积电的好方法

havok 发表于 2020-11-27 19:20
45nm可以用干式机,40nm及以下采用浸没机

800/10w能达到38nm分辨率的话整机的工艺因子应该和ASML的差不多了吧?不然分辨率到不了这个数 按照SSA800干式机的推算80nm分辨率用ArF工艺因子大概是0.3左右 如果10W也是这个数分辨率就只能是47nm了
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CDer:000161337
发表于 2020-11-30 18:46 超大游击队员 | 显示全部楼层
简简单单的芯片税就能套出万亿来发展自家芯片,为什么总要弄这么麻烦的
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