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CDer:001170221 楼主: 超级无人机
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中芯国际FinFET N+1工艺芯片流片成功,技术可用于后续国产光刻机

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CDer:000343167
发表于 2020-10-12 13:08 | 显示全部楼层
现目前我国除了光刻机还有哪些设备没达到28nm节点?
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CDer:001066113
发表于 2020-10-12 15:16 | 显示全部楼层

RE: 中芯国际FinFET N+1工艺芯片流片成功,技术可用于后续国产光刻机

尘世游人 发表于 2020-10-12 01:45
应该是没有那么快!
中芯的14nm的报道,就是2018年搞成功,然后2019年下半年小批量生产,2020年才开始大 ...

其实不一定,14nm算是大节点,所以批量生产会慢些
n+1 n+2这些算是14nm大节点下的小节点,基本上是沿用14nm的生产技术,应该会比14nm更快形成产能吧
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CDer:001063626
发表于 2020-10-12 16:06 | 显示全部楼层

RE: 中芯国际FinFET N+1工艺芯片流片成功,技术可用于后续国产光刻机

cshjh302703 发表于 2020-10-12 00:48
也就是说,华为其实等得起……

并不是的,这个是用的使用了美国技术的生产线。
要给华为代工,得用非美生产线。
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CDer:001063626
发表于 2020-10-12 16:09 | 显示全部楼层

RE: 中芯国际FinFET N+1工艺芯片流片成功,技术可用于后续国产光刻机

尘世游人 发表于 2020-10-12 01:54
以12寸晶圆为例,单片晶圆面积70000mm2左右,再以麒麟995的100mm2为例,理论上可以切700颗,但是晶圆是圆 ...

80%良率太低了,这个水平是不会投产的。
成熟产线都要达到95%以上良率。
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CDer:001128210
发表于 2020-10-12 16:11 超大游击队员 | 显示全部楼层
关键是良率
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CDer:001063626
发表于 2020-10-12 16:12 | 显示全部楼层

RE: 中芯国际FinFET N+1工艺芯片流片成功,技术可用于后续国产光刻机

一只小黑喵 发表于 2020-10-12 02:04
你一定是业内人士 看你的留言都很经典 学习了只要22年能出全国产的7纳米也是很高兴的事

这个不可能,希望2023年能出产全国产的14nm都有点儿做梦的感觉。
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CDer:000544289
发表于 2020-10-12 16:16 超大游击队员 | 显示全部楼层
Alpha_I 发表于 2020-10-12 16:09
80%良率太低了,这个水平是不会投产的。
成熟产线都要达到95%以上良率。

三星某些工艺50%就投产呢!台积电的要求是80-85%,初步试产,大批量90%以上。
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CDer:000974852
发表于 2020-10-12 16:49 | 显示全部楼层

RE: 中芯国际FinFET N+1工艺芯片流片成功,技术可用于后续国产光刻机

邂逅Samuel 发表于 2020-10-12 12:32
遭制裁,没办法了。记得以前好像在论坛里看到有代工企业的人说上微的设备在他们厂里非常不好用,三天两头 ...

没办法,这种高精度设备,就是非常需要工匠精神,国内还挺欠缺。
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CDer:000974852
发表于 2020-10-12 16:50 | 显示全部楼层

RE: 中芯国际FinFET N+1工艺芯片流片成功,技术可用于后续国产光刻机

Alpha_I 发表于 2020-10-12 16:09
80%良率太低了,这个水平是不会投产的。
成熟产线都要达到95%以上良率。

中芯有几条线能达到这个良率的?连28纳米产线都做不到。
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CDer:001125647
发表于 2020-10-12 17:04 超大游击队员 | 显示全部楼层
cliassh1982 发表于 2020-10-12 16:50
中芯有几条线能达到这个良率的?连28纳米产线都做不到。

14纳米良品率都百分之95了。
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CDer:001125647
发表于 2020-10-12 17:06 超大游击队员 | 显示全部楼层
wenxixo 发表于 2020-10-12 07:53
券商真是什么都敢预测,国产7nm2025年都悬,当然,我希望它能成功,不一定非要在手机上纠结,万物互联,这 ...

给你看个东西 http://www.innosilicon.com.cn/news/36.html
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CDer:001125647
发表于 2020-10-12 17:06 超大游击队员 | 显示全部楼层
全球首发中芯国际N+1工艺芯片,芯动科技再立新功 2020年10月11日     2020年10月11日——中国领先的一站式IP和定制芯片领军企业芯动科技(INNOSILICON)发布:已完成了全球首个基于中芯国际FinFET N+1先进工艺的芯片流片和测试,所有IP全自主国产,功能一次测试通过,这是过去数月工艺迭代和共同努力后获得的里程碑成果。
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CDer:001120943
发表于 2020-10-12 17:25 超大游击队员 | 显示全部楼层

Re.中芯国际FinFET N+1工艺芯片流片成功,技术可用于后续国产光刻机

大家都预测都是按照常规速度,觉得到什么什么时候才可能做到,现在美国制裁了,国家层面介入了,企业本身也有需求了。那么在协调,资金投入等方面都会大不一样的。一些攻关研究单位都领了军令状的,要限时完成研发的。就和口罩生产一样,几年之内就要拿出全自动生产样机一样。你在平常,开模的时间都不够的,就不谈设计什么什么的了。所以从华为方面稳如狗的表现来看,一定有底的,只是现在不能说而已。
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CDer:001168906
发表于 2020-10-12 17:31 超大游击队员 | 显示全部楼层

Re.中芯国际FinFET N+1工艺芯片流片成功,技术可用于后续国产光刻机

邂逅Samuel 发表于 2020-10-12 12:32:02
遭制裁,没办法了。记得以前好像在论坛里看到有代工企业的人说上微的设备在他们厂里非常不好用,三天两头就出故障,不知道那人是不是中芯的。
我就笑了,那货根本就是含含糊糊,啥也说不清楚
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CDer:001155528
发表于 2020-10-12 19:13 | 显示全部楼层

RE: 中芯国际FinFET N+1工艺芯片流片成功,技术可用于后续国产光刻机

言谈者 发表于 2020-10-12 17:25
大家都预测都是按照常规速度,觉得到什么什么时候才可能做到,现在美国制裁了,国家层面介入了,企业本身也 ...

华为徐直军:先把库存用完再说,2022年以后呢(指大批量投产),着急什么

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CDer:001125647
发表于 2020-10-12 20:56 超大游击队员 | 显示全部楼层
台湾人天天在论坛上洗脑:中芯国际离职率百分之20,研发根本没救了,台积电牛逼。结果,要不是他美国爸爸帮忙卡EUV光刻机脖子,自己被追的要的累死,也许这就是台粉吧。
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CDer:000544289
发表于 2020-10-12 21:09 超大游击队员 | 显示全部楼层
军事与科技粉 发表于 2020-10-12 20:56
台湾人天天在论坛上洗脑:中芯国际离职率百分之20,研发根本没救了,台积电牛逼。结果,要不是他美国爸爸帮 ...

台积电目前表面上领先,而领先的前提是需求,而中国大陆是目前世界最大的市场,每年超过3000亿美元的市场,这个就是底气。

之前内地不作为,除了基础发展比较迟之外,另外一个就是有现成的方案可以用,价格又比较便宜,所以自研的只当研究一样,混日子。

现在的环境是外面不让用了,那怎么办。
按白皮的想法就是,中国会妥协然后让出利益交换之类,这个也是老美包括川普这批人这么想的,这些人不至一次公开这么说了。
但是,这些人完全低估的中国的性格,中国怕的是不断,不怕你断。

从改开到现在,几乎所有的重工,高新技术,那一样不是被封锁逼出来的,所反而很多所谓的合资、合作绝大部分都变成了对方的组装工了。
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CDer:000134242
发表于 2020-10-12 21:18 | 显示全部楼层
一定要把梁孟松保护好呀。
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CDer:001166203
发表于 2020-10-12 22:09 | 显示全部楼层

RE: 中芯国际FinFET N+1工艺芯片流片成功,技术可用于后续国产光刻机

willingpower 发表于 2020-10-12 10:28
要是22年能出全国产的7nm的话, 华为就活下来了.

估计全国的半导体都要起飞了 、
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CDer:001166203
发表于 2020-10-12 22:13 | 显示全部楼层

RE: 中芯国际FinFET N+1工艺芯片流片成功,技术可用于后续国产光刻机

Alpha_I 发表于 2020-10-12 16:12
这个不可能,希望2023年能出产全国产的14nm都有点儿做梦的感觉。

你这么一说 我的心有点凉啊
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CDer:001169128
发表于 2020-10-12 22:26 超大游击队员 | 显示全部楼层
尘世游人 发表于 2020-10-12 21:09
台积电目前表面上领先,而领先的前提是需求,而中国大陆是目前世界最大的市场,每年超过3000亿美元的市场 ...

美国建制派就是这么你这么想的,他们通过美国在华公司的美国以及盟友的高管了解我国,对我国了解不浅,对华通过合资,倾销等手段断你自主研发之路从中获益,而川普这帮疯子不这么认为,他们认为对华强硬就能获利,找一群以轮子为首这种长期不在华的而且不去理性分析中国发展的人去制定对华政策,之前我们在MD的慢性毒药里浸泡慢性发病而且治病很难,现在给你下狠药我们就会想尽一切手段找到解药
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CDer:000987438
发表于 2020-10-12 22:41 | 显示全部楼层
N+1,N+2完全脱离美国技术没?
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CDer:000544289
发表于 2020-10-12 23:17 超大游击队员 | 显示全部楼层
要战便战 发表于 2020-10-12 22:41
N+1,N+2完全脱离美国技术没?

现在的条件下,肯定是脱离不了,但是会逐步替换的。

就像你现有的机器还能开,还能用,对方禁运不给售后不给材料了。
怎么办,那就把当年已有的尽量利用,用不不能用了,就换了就是。
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CDer:000987438
发表于 2020-10-12 23:21 | 显示全部楼层

RE: 中芯国际FinFET N+1工艺芯片流片成功,技术可用于后续国产光刻机

尘世游人 发表于 2020-10-12 23:17
现在的条件下,肯定是脱离不了,但是会逐步替换的。

就像你现有的机器还能开,还能用,对方禁运不给售 ...

谢谢,明白了。
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CDer:000974852
发表于 2020-10-13 10:24 | 显示全部楼层

RE: 中芯国际FinFET N+1工艺芯片流片成功,技术可用于后续国产光刻机

军事与科技粉 发表于 2020-10-12 17:04
14纳米良品率都百分之95了。

吹牛的,你就信了?人家说的是试生产良率95%,不是量产的良率95%
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CDer:001063626
发表于 2020-10-13 10:36 | 显示全部楼层

RE: 中芯国际FinFET N+1工艺芯片流片成功,技术可用于后续国产光刻机

一只小黑喵 发表于 2020-10-12 22:13
你这么一说 我的心有点凉啊

也不能说完全凉,只能说我们国产设备短板的差距还是很大的,并不是看上去的我们已经可以做14nm,10nm芯片那么点儿差距,那是靠美国产业链的技术支持的冲锋前沿;而真正能自主可控的产业链主体还落在勉强能造45nm的水平。
但也要看到,国产设备和技术实际上过去几年都进步飞快,特别是当现在被美国卡脖子后,因为有了需求和确定的市场空间,未来会进步更快。
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CDer:001169128
发表于 2020-10-13 10:43 超大游击队员 | 显示全部楼层
cliassh1982 发表于 2020-10-13 10:24
吹牛的,你就信了?人家说的是试生产良率95%,不是量产的良率95%

我发现你只要有关于中国芯片帖子里就开始喷,唱衰,严重怀疑你和那个启航者,chenxin一样别有用意
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CDer:001122859
发表于 2020-10-13 11:40 超大游击队员 | 显示全部楼层
海陆空火 发表于 2020-10-12 01:29
产能啊,要是能有每个月十万片就好了

先紧着华为用。小米ov那些用外国片。
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CDer:001134060
发表于 2020-10-13 13:33 | 显示全部楼层

RE: 中芯国际FinFET N+1工艺芯片流片成功,技术可用于后续国产光刻机

Alpha_I 发表于 2020-10-13 10:36
也不能说完全凉,只能说我们国产设备短板的差距还是很大的,并不是看上去的我们已经可以做14nm,10nm芯片 ...

今年如果40纳米能完全自主,基本大盘也就可以保证了,也就不怕美国人乱搞了。下一步再图中原攻克28、14等。
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CDer:000460126
发表于 2020-10-14 06:54 超大游击队员 | 显示全部楼层
dataking 发表于 2020-10-12 08:55
现在中芯国际的问题是产能不足,14nm的订单多到做不完,中芯年底14nm产能也只有1.5万片/月,太少了,估计到 ...

你不开玩笑吧。
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CDer:000460126
发表于 2020-10-14 06:58 超大游击队员 | 显示全部楼层
Alpha_I 发表于 2020-10-12 16:09
80%良率太低了,这个水平是不会投产的。
成熟产线都要达到95%以上良率。

非常时期,只有一边小批量产,一边改进吧。
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CDer:000059635
发表于 2020-10-14 07:18 | 显示全部楼层
不是美国技术的产线,而是含有美国技术的产线,梁孟松贡献巨大。他证明了我们可以用现有技术达到的目标,而且为后续光刻机的研发提供了样本。不容易。没吹牛。这个信息不是梁发布的,而是客户发布的。
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CDer:000952083
发表于 2020-10-14 07:28 超大游击队员 | 显示全部楼层
Alpha_I 发表于 2020-10-12 16:09
80%良率太低了,这个水平是不会投产的。
成熟产线都要达到95%以上良率。

tsmc和三星7成就开始批量生产。
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CDer:001063626
发表于 2020-10-14 08:51 | 显示全部楼层

RE: 中芯国际FinFET N+1工艺芯片流片成功,技术可用于后续国产光刻机

cc1969 发表于 2020-10-13 13:33
今年如果40纳米能完全自主,基本大盘也就可以保证了,也就不怕美国人乱搞了。下一步再图中原攻克28、14等 ...

2年内自主产业链攻下28nm,才算稳住基础盘了吧,还需继续努力。
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CDer:001134060
发表于 2020-10-14 11:39 | 显示全部楼层

RE: 中芯国际FinFET N+1工艺芯片流片成功,技术可用于后续国产光刻机

Alpha_I 发表于 2020-10-14 08:51
2年内自主产业链攻下28nm,才算稳住基础盘了吧,还需继续努力。

28纳米能成当然好。当前40纳米先做好也不错了。
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CDer:001063626
发表于 2020-10-14 13:26 | 显示全部楼层

RE: 中芯国际FinFET N+1工艺芯片流片成功,技术可用于后续国产光刻机

本帖最后由 Alpha_I 于 2020-10-14 13:27 编辑
cc1969 发表于 2020-10-14 11:39
28纳米能成当然好。当前40纳米先做好也不错了。


从产业链了解的消息是,40纳米非美产业链今年底或明年初投产应该是没多大问题了。
但是28纳米,说实话也只能满足除电脑和手机以外的其他芯片的基本要求;而且在很多领域也是低性能妥协方案。
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CDer:001166203
发表于 2020-10-18 00:53 | 显示全部楼层

RE: 中芯国际FinFET N+1工艺芯片流片成功,技术可用于后续国产光刻机

Alpha_I 发表于 2020-10-13 10:36
也不能说完全凉,只能说我们国产设备短板的差距还是很大的,并不是看上去的我们已经可以做14nm,10nm芯片 ...

未来肯定是大好的 只是当下很心急  真心希望有国产7nm这样的产品 救救华为  也救救中国   时间虽然在我们这边 但是也挥霍不起啊
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CDer:000544289
发表于 2020-10-18 01:48 超大游击队员 | 显示全部楼层
Alpha_I 发表于 2020-10-14 13:26
从产业链了解的消息是,40纳米非美产业链今年底或明年初投产应该是没多大问题了。
但是28纳米,说实话 ...

28nm做电脑芯片,可以勉强的!
手机芯片暂时不行!
按照目前的使用环境,手机芯片最低14nm左右。
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发表于 2020-10-18 11:52 | 显示全部楼层

RE: 中芯国际FinFET N+1工艺芯片流片成功,技术可用于后续国产光刻机

尘世游人 发表于 2020-10-18 01:48
28nm做电脑芯片,可以勉强的!
手机芯片暂时不行!
按照目前的使用环境,手机芯片最低14nm左右。

可是28nm美国人也不禁了,甚至让intel和AMD恢复对华为供货了。
玩弄产业链这块,美国人卡得死死的。
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CDer:001120943
发表于 2020-10-21 17:51 超大游击队员 | 显示全部楼层

Re.中芯国际FinFET N+1工艺芯片流片成功,技术可用于后续国产光刻机

Alpha_I 发表于 2020-10-18 11:52:18
可是28nm美国人也不禁了,甚至让intel和AMD恢复对华为供货了。玩弄产业链这块,美国人卡得死死的。
可是建国捅那么一刀,国内企业从上到下都感到了危机,即使美国放开,他们也会加大力度培育国内的产业链,并且逐步替代。
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